简介
1.核心功能：
- 超低噪声与高压差抑制：输出噪声电压【1】典型值仅30μV RMS，电源抑制比（PSRR）达-50dB @10kHz，适合噪声敏感应用（如CDMA/GSM手机）。
- 节能设计：静态电流【2】低至25μA（典型值），关断模式电流【3】仅0.7μA，显著延长电池寿命。
- 小型化与简化设计：支持低ESR陶瓷电容（仅需1μF输出电容），无需额外旁路电容【4】，节省PCB空间。
- 快速响应：开启时间【5】小于40μs，支持高频负载瞬变【6】。
- 应用场景：笔记本电脑、手持仪器、Mini PCIe卡等便携设备。
- 封装选项：提供SC-82、SOT-23-5、SC-70-5和WDFN-6L 2x2封装，均符合RoHS标准，兼容无铅焊接工艺【7】。
2.核心参数速查表：
以下表格提炼自数据手册关键指标，按功能分类呈现，支持快速选型与设计验证：
| 参数类别 | 参数名称 | 符号 | 典型值 | 测试条件 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| 输入特性 | 输入电压范围 | VIN | 2.2 ~ 5.5 | - | V |
| 输出噪声 | 输出噪声电压 | Vn | 30 | VOUT=1.5V, IOUT=0mA, 带宽10Hz~100kHz | μV RMS |
| 静态功耗 | 静态电流 | IQ | 25 | VEN=5V, IOUT=0mA | μA |
| 关断电流 | ISHDN | 0.7 | VEN=0V | μA | |
| 压降特性 | 压降电压【8】（满载） | VDROP | 250 | IOUT=500mA, 2.7V≤VIN≤5.5V | mV |
| 精度控制 | 输出电压精度 | ΔVOUT | ±2% | IOUT=10mA | % |
| 动态性能 | 电源抑制比 | PSRR | 50 | IOUT=100mA, f=10kHz | dB |
| 启动时间 | tON | 40 | - | μs | |
| 保护特性 | 限流保护 | ILIM | 0.6 | RLOAD=0Ω, 2.7V≤VIN≤5.5V | A |
| 热关断【9】温度 | TSD | 170 | 触发保护阈值 | °C | |
| 热设计 | 热阻（WDFN-6L 2x2封装） | θJA | 165 | JEDEC 51-3单层板 | °C/W |
| 热阻（SOT-23-5封装） | θJA | 250 | JEDEC 51-3单层板 | °C/W |
引脚说明
| 引脚名称 | 引脚编号（SC-82） | 引脚编号（SOT-23-5/SC-70-5） | 引脚编号（WDFN-6L 2x2） | 功能描述 | 关键参数（来自电气特性） |
|---|---|---|---|---|---|
| VOUT | 3 | 5 | 4 | 稳压器输出端 | 输出电压精度：±2%（@10mA） |
| GND | 2 | 2 | 2, 7（裸露焊盘） | 接地端 | 必须焊接至大面积PCB铺铜以散热 |
| EN | 1 | 3 | 1 | 使能控制端（高电平激活） | 逻辑低阈值（VIL）：<0.6V；逻辑高阈值（VIH）：>1.6V； 使能引脚电流（IEN）：最大1μA |
| VIN | 4 | 1 | 3 | 电源输入端 | 输入电压范围：2.2V–5.5V |
| NC | — | 4 | 5,6 | 无内部连接 | 无需外部电路 |
参数说明：
- EN引脚：逻辑高电平（>1.6V）时启动稳压器，逻辑低电平（<0.6V）时进入关断模式（功耗0.7μA）。不可悬空。
- GND引脚：WDFN封装的裸露焊盘（Pin 7）需连接PCB铺铜以优化散热，否则影响最大功耗【10】（见设计参考部分）。
- VIN/VOUT参数：压差电压（V_DROP）典型值250mV @500mA（VIN≥2.7V），确保高效能量转换。
其他参数
除引脚参数外，关键特性分为电气性能、保护机制和热特性三类：
1. 电气性能
| 参数 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 输出噪声电压 | VON | VOUT=1.5V, IOUT=0mA | — | 30 | — | μV RMS |
| 负载调整率【11】 | ΔVLOAD | 1mA<IOUT<500mA (VIN≥2.7V) | — | — | 1% | % |
| 线性调整率【12】 | ΔVLINE | VIN=(VOUT+0.5V)至5.5V | — | 0.01 | 0.2 | %/V |
| 静态电流 | IQ | VEN=5V, IOUT=0mA | — | 25 | 50 | μA |
| 电流限制【13】 | ILIM | RLOAD=0Ω, VIN≥2.7V | 0.5 | 0.6 | 0.85 | A |
2. 保护机制
| 参数 | 符号 | 典型值 | 单位 | 功能 |
|---|---|---|---|---|
| 热关断温度 | TSD | 170 | °C | 结温超限时关闭输出 |
| 热关断迟滞【14】 | ΔTSD | 30 | °C | 温度降低30°C后自动恢复 |
| 电流限制 | ILIM | 0.6 | A | 输出短路保护（可无限时短路至GND） |
3. 热特性
| 参数 | 符号 | SC-82封装 | SOT-23-5封装 | WDFN-6L 2x2封装 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| 结到环境热阻【15】 | θJA | 333 | 250 | 165 | °C/W |
| 最大功耗@TA=25°C | PD(MAX) | 0.300 | 0.400 | 0.606 | W |
| 存储温度范围 | TSTG | -65至150 | -65至150 | -65至150 | °C |
最大功耗公式：PD=(VIN−VOUT)×IOUT+VIN×IQ
温升限值公式：PD(MAX)=(TJ(MAX)−TA)/θJA（TJ(MAX)=125°C）
设计参考
1.电容选型
- 输入电容（CIN）：
- 需≥1μF陶瓷电容（X7R），ESR无严格要求。
- 布局要求：距离VIN引脚≤0.5英寸，连接至纯净模拟地【16】。
- 输出电容（COUT）：
- 需≥1μF陶瓷电容（X7R），ESR≥5mΩ以确保稳定性【17】。
- 更大电容值可改善噪声和瞬态响应【18】（如PSRR）。
- 在数据手册中展示了允许的ESR范围随负载电流的变化
2. 使能控制设计
- EN引脚需直接连接逻辑电平（CMOS兼容【19】），禁止悬空，推荐添加下拉电阻【20】。
- 逻辑高电平（>1.6V）启动，逻辑低电平（<0.6V）关断，典型响应时间<40μs。
- 若需常开，可将EN引脚接至VIN。
3. 热设计
- 散热优化：WDFN封装的裸露焊盘（GND）必须焊接至大面积PCB铺铜。
- 功耗管理：环境温度（TA）升高时需降额使用。数据手册提供封装降额曲线【21】，避免超温关断：
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