简介

​​1. 核心功能

• ​​双通道超低压差线性稳压器^【1】​​：集成两个300mA LDO，输入电压范围 ​​2.3V–5.5V​​，专为射频/噪声敏感设备优化。
• ​​超低噪声性能​​：输出噪声低至 ​​30μV RMS​​（10Hz–100kHz），PSRR高达 ​​70dB@1kHz​​。
• ​​μCap技术^【3】​​：支持 ​​1μF陶瓷输出电容​​，节省PCB空间（传统LDO需>10μF电容）。
• ​​独立使能控制^【4】​​：双EN引脚（EN1/EN2）分别控制各通道^【2】，休眠电流^【5】仅 ​​0.01μA​​。

2.核心参数速查表

参数类别​​	​​参数名称​​	​​符号​​	​​典型值​​	​​测试条件​​	​​单位​​
​​输入特性​​	输入电压范围	VIN	2.3~5.5	-	V
​​输出特性​​	单路输出电流	IOUT	300	每通道	mA
	压降电压【6】	VDROP	75	IOUT=300mA	mV
	输出噪声电压【7】	Vn	30	10Hz~100kHz, CBYP=0.1μF	μVRMS
​​精度与效率​​	输出电压精度【8】	ΔVOUT	±2%	TJ=25°C	%
	静态电流【9】（双通道）	IGND	150	EN=High, IOUT=0	μA
	休眠电流	ISD	0.01	EN=Low	μA
​​动态性能​​	电源抑制比	PSRR	70	f=1kHz	dB
	启动时间	tON	30	COUT=1μF, CBYP=0.1μF	μs
​​保护特性​​	短路电流限制【10】	ISC	350~950	VOUT=0V	mA
​​热设计​​	结-环境热阻【11】	θJA	90	最小焊盘布局（4层板）	°C/W
	最高结温	TJ(max)	125	-	°C
​​封装规格​​	封装尺寸	-	2×2	8-Pin MLF®	mm
	温度范围	TA	-40~+125	工业级	°C

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引脚详解

关键参数补充​​

​​1.热设计参数​​

• ​​最大功耗公式​​：
  PD(MAX)​=θJA​TJ(MAX)​−TA​​=90°C/W125°C−TA​​
  eg. VIN=3.3V, VOUT1=2.8V@300mA, VOUT2=1.5V@300mA → PD=0.69W → TA≤62.9°C（无散热）

​​2.瞬态响应​​

• ​​启动时间​​：30μs（COUT=1μF, CBYP=0.1μF）
• ​​负载跃变响应^【14】​​：输出电压波动<0.5%（IOUT=100μA→300mA）

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布局建议​​

​​元件​​	​​选型与布局要求​​
​​输入电容​​	1μF陶瓷电容【15】（X7R/X5R）紧贴VIN-GND引脚，并联10nF高频电容抑制射频噪声【16】
​​输出电容​​	1μF陶瓷电容（ESR<100mΩ）距VOUT引脚<2mm；​​禁用Y5V/Z5U电容​​（高温漂）
​​BYP电容​​	0.1μF陶瓷电容（降噪用）直接连接BYP-GND，走线短直
​​GND设计​​	EP焊盘全连接至低阻抗地平面【17】；VIN/VOUT电容接地端​​单点连接【18】​​至EP焊盘下方

​​热设计​​：

• ​​焊盘设计​​：
  • EP焊盘使用 ​​4×4过孔阵列^【19】​​（建议孔径0.3mm，间距1mm）连接底层地平面散热。
  • 铜箔面积≥100mm²。
• ​​温升警告​​：双通道300mA输出时，θJA每降低10°C/W，TA上限提高11°C。

​​噪声设计​​：

• ​​高敏感应用​​：
  • VOUT走线包裹地屏蔽，远离开关电源路径。
  • BYP电容必须放置。
• ​​使能信号​​：EN走线加10kΩ下拉电阻，避免浮空干扰。

其他：

• NC引脚严禁布线，防止内部电路耦合噪声。
• 输出电容ESR>1Ω可能引发振荡^【20】，需验证稳定性^【21】。
• 启动时EN信号上升时间<1μs，避免缓启导致输出缓升。