FD6288

简介

1.核心功能 (Core Functionality)

三相独立半桥栅极驱动器^【1】，可驱动6个外部N通道MOSFET^【2】（每相2个）

2.工作电源电压范围 (Operating Supply VOL^【3】tage Range)

低侧供电^【4】：5.0V 至 20V
高侧浮动电压^【5】：VS+5V 至 VS+20V

3.控制接口^【6】选项 (Contr^【7】ol Interface Options)

独立高/低侧输入^【8】（HIN1-3/LIN1-3），支持3.3V/5V逻辑电平^【10】

4.栅极驱动能力 (Gate Drive Capability)

峰值输出电流^【11】：+1.5A（源电流^【12】）/-1.8A（灌电流^【13】）

5.逻辑输入支持 (Logic Input Support)

支持3.3V/5V逻辑输入电平，内置200kΩ下拉电阻^【14】

6.保护特性 (Protection Features)

Vcc/VBs欠压保护^【15】（UVLO^【16】跳闸：4.2-5.0V）
内置200ns死区时间^【17】，防止直通^【18】
输入信号噪声滤波^【19】
结温过载保护^【20】（TSD^【21】：150℃）

7.动态性能 (Dynamic Performance)

传输时间^【22】：上升沿^【23】300ns（最大450ns），下降沿^【24】100ns（最大160ns）
开关时间^【25】：12ns上升/下降（CL^【26】=1000pF）

8.封装选项 (Package Options)

TSSOP20^【27】封装：6.5×4.4×1.0mm
QFN24^【28】封装：4.0×4.0×0.8mm（带散热焊盘^【29】）

9.应用场景 (Application Scenarios)

电机驱动系统^【30】（电动汽车/工业设备/家电）

引脚介绍

所有参数基于数据手册1.7、3.1-3.4节，测试条件：TA=25°C，Vcc=VBS=15V。

1. 控制输入引脚

功能描述	TSSOP20引脚	QFN24引脚	电气参数（典型值）
高侧输入^【31】1 (HIN1)	1	22	- 逻辑高阈值^【32】：≥2.7V - 输入偏置电流^【33】：25μA (VIN=5V) - 下拉电阻：200kΩ
高侧输入2 (HIN2)	2	23	同HIN1
高侧输入3 (HIN3)	3	24	同HIN1
低侧输入^【9】1 (LIN1)	4	1	- 逻辑低阈值^【34】：≤0.8V - 输入偏置电流：≤1μA (VIN=0V) - 传输延时^【35】：300ns (上升沿)
低侧输入2 (LIN2)	5	2	同LIN1
低侧输入3 (LIN3)	6	3	同LIN1

2. 电源与接地引脚

功能描述	TSSOP20引脚	QFN24引脚	电气参数
低侧供电 (VCC)	7	4	- 工作范围：5.0~20V - UVLO跳闸：4.6V - 静态电流^【36】：330μA
系统接地^【37】 (COM)	8	6	所有电压测量基准点
高侧浮动供电^【38】1 (VB1)	20	20	- 绝对耐压^【39】：275V - 静态电流：180μA - UVLO跳闸：4.6V
高侧浮动供电2 (VB2)	17	17	同VB1
高侧浮动供电3 (VB3)	14	14	同VB1

3. 输出驱动引脚

功能描述	TSSOP20引脚	QFN24引脚	驱动参数
低侧输出^【41】1 (LO1)	11	11	- 灌电流：-1.8A (峰值) - 下降时间^【42】：12ns (CL=1000pF) - VOL：0.3V (Io=100mA)
低侧输出2 (LO2)	10	10	同LO1
低侧输出3 (LO3)	9	9	同LO1
高侧输出^【43】1 (HO1)	19	19	- 源电流：+1.5A (峰值) - 上升时间^【44】：12ns (CL=1000pF) - VOH^【45】：0.6V (Io=100mA)
高侧输出2 (HO2)	16	16	同HO1
高侧输出3 (HO3)	13	13	同HO1
高侧偏移电压^【46】1 (VS1)	18	18	- 耐压^【40】：VB-25V ~ VB+0.3V - 静态负压^【47】：-6.0V - 漏电流^【48】：0.1μA (250V时)
高侧偏移电压2 (VS2)	15	15	同VS1
高侧偏移电压3 (VS3)	12	12	同VS1

4. 空脚（仅QFN24）

功能描述	QFN24引脚	说明
空脚^【49】 (NC)	5,7,8,21	禁止连接任何信号或电源

参数补充

基于数据手册3.3-3.4节（电气特性）和图表部分，补充关键参数细节。所有参数测试条件：TA=25°C，Vcc=VBS=15V，Vs=COM（除非特殊说明）。

1 .静态电气参数（表3.3）

参数	符号	参数（测试条件）	最小值	典型值	最大值	单位
输入逻辑特性^【50】	V_IH	高电平输入阈值	-	2.7	-	V
	V_IL	低电平输入阈值	-	-	0.8	V
UVLO保护	V_ccUV+	Vcc欠压跳闸	4.2	4.6	5.0	V
	V_ccUV-	Vcc欠压复位	3.9	4.3	4.7	V
	V_BSuv+	VBS欠压跳闸	4.2	4.6	5.0	V
电流参数	I_QBS	VBS静态电流（高侧）	-	180	270	μA
	I_QCC	VCC静态电流（低侧）	-	330	500	μA
	I_LK	悬浮电源漏电流（VB=250V）	-	0.1	5.0	μA
输出特性	V_OH	高电平输出电压（Io=100mA）	-	0.6	0.9	V
	V_OL	低电平输出电压（Io=100mA）	-	0.3	0.45	V
	I_OH	高侧输出短路电流（PWD≤10μs）	1.1	1.5	1.9	A
	I_OL	低侧输出短路电流（PWD≤10μs）	1.3	1.8	2.3	A

2 .动态电气参数（表3.4）

参数	符号	测试条件	最小值	典型值	最大值	单位
传输时间	t_on	输出上升沿延迟	-	300	450	ns
	t_off	输出下降沿延迟	-	100	160	ns
开关时间	t_r	输出上升时间（CL=1000pF）	-	12	25	ns
	t_f	输出下降时间（CL=1000pF）	-	12	25	ns
匹配^【51】与死区	MT^【52】	高低侧延时匹配	-	-	30	ns
	DT^【53】	死区时间（内置固定）	100	200	300	ns

3. 功能时序补充

直通防止功能^【54】：当HIN/LIN同时高电平时，输出强制低电平，避免MOSFET直通。时序图显示死区时间内HO/LO均关断。
死区功能：内置固定死区（200ns典型），确保高侧关断后低侧导通（或反之）。时序图如下（紧邻原始描述）：

设计参考

核心元件：

高侧：自举二极管^【56】（Dbs）和电容（Cbs）为VB供电^【57】。
低侧：滤波电容^【58】（C1）稳定VCC。
输出级：栅极电阻^【59】（R1）和栅源电阻^【60】（R2）控制开关速度^【61】和阻尼振荡^【62】。

PCB布局建议

电源与接地设计：
- ∙VCC滤波电容^【63】（C1）：
  - ∙选型：10μF或以上的陶瓷或钽电容（低ESR^【64】）。
  - ∙布局：尽可能靠近VCC和COM引脚，减少电源环路电感。
- ∙COM引脚：使用星型接地^【65】，单点连接功率地^【66】（Power Ground）和信号地^【67】（Signal Ground），避免地弹噪声^【68】。
自举电路设计^【69】（高侧驱动）：
- 自举二极管（Dbs）：选高反向击穿电压^【70】（需要大于最高驱动电压）、快恢复肖特基二极管^【71】（trr<50ns）。
- 自举电容^【72】（Cbs）：
  - ∙选型：陶瓷电容（0.1~1μF），耐压>20V。
  - ∙布局：尽可能靠近VB和VS引脚，缩短高侧电流路径。
- 注意：VB-VS电压需保持在5~20V范围内（推荐工作条件）。
输出级设计：
- 栅极电阻（R1）：
  - 选型：根据死区时间和MOSFET栅极电荷^【73】（Qg^【74】）计算（过大延长开关时间，过小导致振荡）。
  - 建议：R1*Qg ≤ DT（死区时间），确保死区有效。
- 栅源电阻（R2）：
  - 选型：10kΩ~100kΩ，用于泄放^【75】MOSFET栅极电荷，防炸。
  - 布局：直接连接MOSFET栅极和源极，路径最短化。
布局技巧：
- 引脚走线：
  - HO/LO输出走线宽^【76】≥12mil，减少电感。
  - HIN/LIN输入走线短直，避免平行于功率线，最好加地线屏蔽。
- 热管理^【77】：
  - TSSOP20封装：热阻^【78】RthJA^【79】≤100°C/W，建议加散热焊盘或铜箔。
  - QFN24封装：热阻RthJA≤42°C/W，底部焊盘必须全连接至地平面散热。