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LMR514X0

AI 摘要
LMR514X0:工业级宽压输入(4-36V),支持5A持续输出,集成高效同步整流与多重保护,简化电源设计。
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SN74HC125

AI 摘要
SN74HC125:四路独立三态缓冲,支持2-6V宽电压兼容,输出可控高阻态。适用于总线共享与信号隔离,性能稳定,设计灵活。
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MIC5330

AI 摘要
MIC5330:双通道300mA LDO,集成1μF小电容设计,噪声低至30μV,PSRR达70dB。独立使能控制,休眠电流仅0.01μA,专为射频及噪声敏感设备优化。
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DRV8300

AI 摘要
DRV8300:高效三相栅极驱动器,可驱动6个N-MOSFET,支持自举架构,内置防直通保护,工作电压高达20V,适用于电机驱动、无人机和工业设备,兼具宽电压与高瞬态耐受能力。
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FD6288

AI 摘要
FD6288:三相栅极驱动器,支持6个N-MOSFET,峰值电流±1.8A,内置死区与多重保护,适用于高效电机控制系统。
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RT9013

AI 摘要
超低噪声仅30μV RMS,静态电流低至25μA!RT9013支持陶瓷电容,提供多种封装,为便携设备带来高效节能与小型化设计。
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DRV8701E/P

AI 摘要
DRV8701E/P:单路H桥栅极驱动器,支持5.9V至45V宽压输入,5级可调驱动电流,集成PWM电流调节和多重保护功能,低功耗睡眠模式仅9μA,高效驱动外部MOSFET。
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IR2104

AI 摘要
IR2104半桥驱动芯片:浮动通道设计耐受600V高压,抗dV/dt干扰,集成欠压保护与交叉导通预防逻辑。提供精准死区控制与延迟匹配,兼容3.3V~15V逻辑输入,确保高效驱动与系统安全。
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MPM3515

AI 摘要
宽压输入4-36V,高效同步降压,汽车级认证!MPM3515集成90mΩ/50mΩ MOSFET,2.2MHz开关频率,支持CCM模式与多重保护,适用于严苛环境。